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被投企业动态 | 致真存储自研128Kb SOT-MRAM流片成功!
日期:2023-08-15      来源:

    2023年8月,致真存储(北京)科技有限公司团队自主研发的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下线。这是继1Kb SOT-MRAM流片成功后又一个重要的新一代磁存储技术工艺研制里程碑,围绕自旋轨道矩材料、磁性隧道结图案化、专用电路设计等实现了多处技术突破,为新一代磁存储芯片量产、国产高端存储器技术突围、后摩尔时代片上非易失性存储开拓了道路。

致真存储自研128Kb SOT-MRAM

    致真存储深耕自旋存储芯片领域近十年,是一家致力于研发和制造磁性随机存储器(MRAM)的创新型科技企业。公司拥有8英寸磁性存储芯片专用后道微纳加工工艺中试线,分别在北京和青岛建立了设计和制造中心。公司组建了一支具备国际视野和创新能力的国际化团队,团队核心成员包括外籍专家、长江学者以及国际存储领域的高级技术人才。

    致真存储研发的新一代磁存储芯片 (SOT-MRAM),采用电子的自旋属性表征数据信息,拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,具备高速读写、低功耗、耐擦写、高可靠、宽温区等独特优势,是下一代非易失存储芯片的理想选择之一。

    目前,致真存储已签约落地青岛西海岸新区,总投资数十亿元,计划在新区建设8英寸及12英寸的完整磁存储后道量产线,以加速磁存储芯片的产业化进程,预计2024年底通线,2025年初投产。下一步,致真存储研发团队将在持续扩大芯片容量的基础上,不断完善功能、提升性能,达到可量产可推广状态。


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